Die drei Halbbrücken-Gate-Treiber (3 High-Side und 3 Low-Side-Gate-Treiber) werden durch einen digitalen RUN-Pin und 6 digitale Eingängen gesteuert. Der IC ist konfigurierbar für 6 direkte Steuereingänge oder 3 Enable- und 3 PWM-Eingänge. Im letzten Fall wird die Totzeit automatisch generiert und kann über einen externen Widerstand eingestellt werden.
Der Baustein hat einen DC/DC Abwärtswandler (Buck Converter) integriert. Dieser versorgt die Treiber und andere Lasten mit einer Gate-Spannung von 11V/100mA. Ein interner 3,3V-Regler kann zudem einen Mikrokontroller mit bis zu 20mA versorgen. Für höhere Lasten kann ein externer Boost-Transistor angeschlossen werden.
Des Weiteren verfügt der Baustein über umfangreiche Diagnose- und Schutzeinrichtungen: Zwei Fehlerausgänge zeigen Überstrom, Unterspannung und Übertemperatur. Zudem ist der Baustein in dem thermisch effizienten Exposed-Pad-QFN-Gehäuse integriert. Dies ermöglicht es, den IC nahe seiner maximalen Temperatur von bis zu 170°C zu betreiben.
Für mehr Informationen schreiben Sie bitte eine E-Mail an sales@elmos.com mit dem Betreff „E523.50“ oder nehmen per Telefon Kontakt mit uns auf: + 49 231 7549 100.
Elmos entwickelt, produziert und vertreibt Halbleiter und Sensoren vornehmlich für den Einsatz im Auto. Unsere Bausteine kommunizieren, messen, regeln sowie steuern Sicherheits-, Komfort-, Antriebs- und Netzwerkfunktionen. Seit über 30 Jahren ermöglichen Elmos-Innovationen neue Funktionen und machen die Mobilität weltweit sicherer, komfortabler und energieeffizienter.
Elmos Semiconductor SE
Werkstättenstraße 18
51379 Leverkusen
Telefon: +49 (231) 7549-0
Telefax: +49 (231) 7549-149
http://www.elmos.com
Pressereferent
Telefon: +49 (231) 7549-199
Fax: +49 (231) 7549-548
E-Mail: invest@elmos.de