AIXTRON stellt neues G10-AsP-System auf Photonic West vor

AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt die erste vollautomatisierte AsP-Plattform auf den Markt. Die neue Anlage G10-AsP adressiert die wachsenden Anforderungen im Bereich der Micro LED- und Laser-Bauelemente. Als erstes System in der Branche ermöglicht die G10-AsP eine robuste Großserienproduktion, die mit sehr hohen und komplexen Anforderungen verbunden ist.

"Micro LEDs werden die Welt der Displays revolutionieren, da sie eine höhere Lebensdauer, eine bessere Bildqualität und eine sehr gute Energieeffizienz bieten. Diese innovative Technologie stellt den Produktionsprozess aber vor große Herausforderungen, da niedrigste Fehlerquoten und höchste Anforderungen bei der Gleichförmigkeit erreicht werden müssen. Die Antwort darauf ist unsere neue G10-AsP, die den ersten vollautomatisierten Depositionsprozess der Branche bietet. Die neue Anlage ermöglicht den höchsten Durchsatz seiner Klasse mit einer bisher noch nie dagewesenen Homogenität und Defektrate", sagt Dr. Felix Grawert, CEO und President der AIXTRON SE. 

Zum ersten Mal wird eine echte Massenproduktion von Micro LEDs mit strengsten Materialanforderungen und reduzierten Chipgrößen von 10 Mikrometern und weniger zur Realität. Darüber hinaus erfüllt die G10-AsP auch die immer komplexer werdenden Anforderungen bei der Herstellung von InP (Indiumphosphid)-Lasern und VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) in hohen Stückzahlen.

Die neue Plattform G10-AsP wird am 1. Februar 2023 auf der Photonics West Messe in San Francisco, USA, offiziell vorgestellt. Während dieser Veranstaltung werden AIXTRON-Experten die neue, mit Innovationen vollgepackte Anlage vorstellen, und zeigen, wie sie den höchsten Durchsatz ihrer Branche garantiert.

Die neue vollautomatisierte G10-AsP ist die größte 200mm AsP-Batch-Anlage auf dem Markt. Sie verfügt über eine automatische Reaktorreinigung und eine automatische Waferbeladung mittels hochmodernem C2C-Automatisierungsmodul (Cassette-to-Cassette). Für 200-mm-Wafer kann das Front-End der Anlage mit SMIF (Standard Mechanical Interface)-Pods ausgestattet werden, um die Exposition der Epitaxiewafer gegenüber der Raumumgebung weiter zu minimieren. Die automatische Reaktorreinigung ermöglicht es dem Benutzer, die Kammerbedingungen bei Bedarf neu einzustellen – entweder nach jedem Prozesslauf für die anspruchsvollsten Anforderungen oder nach einer Produktionskampagne für den höchsten Ausstoß an Epi-Wafern pro Zeit. Die Plattform basiert auf dem erfolgreichen Planetary Reactor®-Prinzip, das ein Multiwafer-Batch-Reaktorkonzept mit der Rotation der einzelnen Wafer kombiniert, um höchste Homogenität der Abscheidung zu gewährleisten.

Micro LEDs werden nicht nur für die nächste Generation von TV-Displays verwendet, sondern auch für künftige Smartwatches, Smartphones, Augmented-Reality (AR)-Projektionen oder Fahrzeugdisplays. Analysten erwarten, dass in diesem Bereich in den nächsten fünf bis zehn Jahren der größte Markt für LEDs entstehen wird.

Die größte Herausforderung sowohl für fortschrittliche Micro LEDs als auch künftige InP und VCSEL-Anwendungen bleibt die Gleichförmigkeit: Die Homogenität auf dem Wafer und zwischen den einzelnen Wafern muss in einem Massenproduktionsprozess optimiert werden. Die neue G10-AsP setzt bei diesen Werten einen neuen Standard und bietet eine zwei- bis dreifache Verbesserung zu ihrem Vorgänger. Die vollautomatisierte Plattform wird damit eine neue Ära in der Produktion von Micro LEDs und photonischen Bauelementen einleiten.

Photonische Bauelemente wie Infrarotlaser und -detektoren haben bereits eine breite Marktakzeptanz. In der Telekommunikation bilden sie die Grundlage, um den ständig wachsenden Datenmengen gerecht zu werden, was mit immer höheren Bandbreitenanforderungen verbunden ist. Außerdem ermöglichen sie die 3D-Sensorik, z. B. für die Gesichtserkennung, und fortgeschrittene Technologien für das autonome Fahren: Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung dieser Technologie müssen die Strahlen größere und breitere Bereiche abbilden. Dies erfordert engere Wellenlängentoleranzen, was mit hohen Anforderungen an die Epitaxie verbunden ist: Mit der neuen G10-AsP lässt sich der gesamte Epitaxie-Prozess besser steuern. Das Resultat sind reduzierte Defekte, eine bessere Gleichförmig- und Materialgenauigkeit und damit höhere Ausbeute.

Die verbesserte Gleichförmigkeit bildet die Grundlage für eine wirtschaftlich tragbare Massenproduktion von Micro LEDs: Micro LED-Displays beruhen auf einem speziellen Stempel- oder Matrizentransferverfahren, bei dem Tausende von LED-Chips (Arrays) von nur wenigen Mikrometern Größe aufgenommen und übertragen werden. Da ganze Arrays von Pixeln vom Epi-Wafer-Substrat übertragen werden, ist eine nahezu perfekte Einheitlichkeit erforderlich –oder können Sie sich vorstellen, eine Smartwatch oder ein Smartphone zu kaufen, dessen Display in einer Ecke eine andere Farbe hat als in der anderen? 

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

Über AIXTRON SE

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

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